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2016-2022年中国IGBT功率模块市场分析与投资前景研究报告
发布时间：2016-04-26        浏览次数：111        返回列表
 博思数据发布的《2016-2022年中国IGBT功率模块市场分析与投资前景研究报告》共十五章。报告介绍了IGBT功率模块行业相关概述、中国IGBT功率模块产业运行环境、分析了中国IGBT功率模块行业的现状、中国IGBT功率模块行业竞争格局、对中国IGBT功率模块行业做了重点企业经营状况分析及中国IGBT功率模块产业发展前景与投资预测。您若想对IGBT功率模块产业有个系统的了解或者想投资IGBT功率模块行业，本报告是您不可或缺的重要工具。
    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度 快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电 机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
 

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